Elektronik-Praktikum für Informatiker by Dr.-Ing. Winfried Hahn (auth.)

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Wird nun der Schalter A bet~tigt, so wird der Schalter ge5ffnet und das Signal C verschwindet. Es wird also die Boole'sche Beziehung C = A realisiert. Das Ergebnis ihrer logischen Verknupfung zeigen Gatter am Ausgang durch eine elektrische Spannung an. Statt der anschaulichkeitshalber in Fig. 1 benutzten Taster oder Schalter, werden in elektronischen Rechenanlagen Schalttransistoren oder Dioden verwendet, deren Schaltzust~nde "EIN" ("Leitend") und "AUS" ("Nicht leitend") durch elektrische Signale, die Eingangs- oder Steuerspannungen, eingestellt werden k5nnen.

Die Gr5£e dieses Stromes ist nach dem tiberschreiten einer Schwellenspannung UGSth ' bei der erst die Influenzwirkung beginnt, eine Funktion der Steuerspannung UGS . Da der Anschlu£ G durch das isolierende Material Si0 2 vom Ubrigen Teil des Transistors getrennt ist, liegt der Eingangswiderstand eines MOS-FET's bei etwa 10 12 Ohm, d. h. ein MOS-FET ist ein nahezu ideales, spannungsgesteuertes Bauelement, eine Eigenschaft, die ihm in letzter Zeit den Einzug in weite Gebiete der Rechenanlagentechnik erm5glicht hat.

3 den Strom I bei dem UCE gleich 10 % von UCC ist. a. 9 rnA 51 b. 3 den Strom I = IE (1 st AUS = I AUS - IE)' bei dem UCE gleich 90 % von UCC ist. 5 V = 1. ;5 (Vgl. Fig. 4) 4. 4 (VgZ. Fig. 5 den Strom IB mit der Konstantstromquelle so ein, daB der Transistor gerade bis an die S~ttigung einschaltet, d. , daB die Spannung UCE zwischen den Schaltimpulsen gerade noch den Wert 0 V erreicht. A 0 r--:-~ Trig. Kan. BLf----' lconst. 5 5. 45 1. 11 o. 3 Auswertung 1. 1 den Sperrstrom I CEo abh~ngig von der Transistor-Temperatur T.

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